Май 21st, 2024 
raven000 Юная североамериканская организация Crossbar (Санта-Клара, штат Калифорния) рассказала о доступности первых стоковых примеров энергонезависимой памяти нового вида. Это так именуемая резистивная Рэм либо ReRAM, один из видов которой спроектировала организация Crossbar. Сама она не будет производить ReRAM, впрочем в партнёрстве с кем-нибудь из больших марок готова этим заниматься. К примеру, если б такое предложение поступило от компании Western Диджитал. На данный момент Crossbar занимается лицензирование своей подготовки всем причастным фирмам и грезит стать ARM во всем мире памяти.
Настоящий пример памяти RRAM (Crossbar)
Лицензия на изготовление памяти ReRAM была предоставлена японской компании SMIC в начале марта минувшего года. К данному дню, как произнесено выше, SMIC перешла к поставкам рабочих примеров кристаллов ReRAM. Резистивная память производится с применением 40-нм техпроцесса, но на протяжении первой половины 2016 года гарантируют выходить 28-нм эталоны ReRAM. Приобретенные эталоны помогут компании Crossbar спроектировать технологию вделываемой в микроконтроллеры и SoC памяти ReRAM. Запрос на это весьма высок, так как резистивная память устойчива к перезаписи и может держать до 100 000 циклов записи.
Суммарный принцип компании перекрёстной памяти RRAM (Crossbar)
Благодаря собственным данным память ReRAM вероятно может сменить память NOR-флеш, улучшенную для старта кода, и память NAND-флеш, которая вчера в массе применяется для сохранения данных. Так, если задержки при послании к памяти NAND-типа достигают миллисекунд, то задержки при чтении из ячеи ReRAM одинаковы 20 нс, но задержки на запись в ReRAM не превосходят 12 нс. При этом память ReRAM перед записью не нужно чистить, что упрощает конструкцию знака и снижает время на процедуры.
Механизм работы ячеи памяти ReRAM компании Crossbar (Crossbar)
В заключение напоминаем, что память ReRAM компании Crossbar действует на принципе контролируемого развития нитей из ионов золота в рабочем покрове из бесформенного кремния. Рабочее усилие одной полярности принуждает ионы золота кочевать в рабочий пласт из серебристых электродов с внешней стороны ячей, но рабочее усилие обратной полярности отдает ионы золота назад в электроды. Усилие с низким свойством считывает положение ячей. Подобных состояний, к слову, вполне может быть несколько, и, как следствие, в любой ячее может храниться несколько бит данных. Также такую память можно производить в качестве имеющего несколько слоев стека. Одним словом — весьма многообещающая разработка и прекрасно, что её сегодня могут щупать все желающие изготовители. Авось кому-то придется по душе.
Опубликовано в рубрике 
