0740f660

Micron кладет серьезные надежды на 3D NAND и GDDR6

В эти дни в процессе события Micron Analyst Conference топ-менеджеры североамериканской компании Micron Technology сообщили о перспективах и векторах формирования рынка памяти, и поделились информацией о нынешних планах. По прогнозу компании-производителя, 2017 год будет очень удачным для организаций, производящих и материнскую плату, и память NAND Flash. К их числу относится и сама Micron.

Невезения 2016 года переменятся свежим временем повышения

Невезения 2016 года переменятся свежим временем повышения

После изучения 20-нм техпроцесса изготовления Рэм и сопряженной с данным модернизации цехов Micron приняла курс на 16-нм технологию, отмеченную в проектах компании как «1X hm». Предполагается, что свежий этап будет укоризнаён инженерами в 2016 году. При этом килобайт материнской платы будет выгоднее в изготовлении на 20 %. Прямо за удачным налаживанием производства 32-слойной памяти TLC NAND организация рассчитывает ввести 64-слойные микросхемы такого же вида. Их предельная ёмкость будет в два раза меньше (256 Гбит против 384 Гбит), однако занимаемая площадь также убавится — приблизительно вдвое.

Micron NAND

256 Гбит (32 Гигабайт) данных будет можно вписывать на микросхемы площадью 59 кв. миллиметров

256 Гбит (32 Гигабайт) данных будет можно вписывать на микросхемы площадью 59 кв. миллиметров

Существенный % исхода пригодных (рабочих) 64-слойных кристаллов TLC NAND будет реальностью до конца 2017 текущего года Micron, другими словами не позже октября. Но в третьем полугодии календарного 2017 г. начнётся тестовый выпуск чипов нового (3-го) поколения.

Micron NAND

Двухслойная NAND флеш-память с заслуживающими данными энергоэффективности — база возникновения в дальнейшем терабайтных накопителей в телефонах и планшетах. По самому оптимистическому сценарию, такие появятся на рынке в 2018 г.

Micron NAND

В середине 2017 — конце 2018 года Micron рекламирует свежую буферную память для видеокарт и консольных SoC — GDDR6. В отличии от GDDR5X она существенно — вдвое — превзойдёт характеристики скорости GDDR5. Пропускная дееспособность до 16 Гбит/с на контакт и не менее бюджетная архитектура должны снабдить GDDR6 серьезный спрос и продолжительный срок жизни. В стоковых продуктах новая VRAM будет в 2016 году и будет оставаться своевременной ещё по меньшей мере 3 года. Игровые приставки переезжают с GDDR5 на GDDR6 позднее графических адаптеров, однако сам переход будет не менее мгновенным.

Micron GDDR6

Назло ожиданиям, Micron не рассматривала собственные проекты по производству накопителей на базе памяти 3D XPoint. Для их стокового изготовления нужен переход на чипсеты 2-го и 3-го поколений, потому новости последуют к концу года. Для 3D XPoint у Micron присутствует брэнд QuantX.

Micron 3D XPoint

Вы можете оставить комментарий, или ссылку на Ваш сайт.

Оставить комментарий