0740f660

SK Hynix объявила первые во всем мире микросхемы LPDDR4X-4266 8 Гигабайт

SK Hynix официально продемонстрировала первые во всем мире комплектации памяти LPDDR4X ёмкостью 8 Гигабайт для мобильных телефонов нового поколения. Свежие микросхемы памяти (dynamic random access memory, DRAM) не только лишь владеют повышенной мощностью и пониженным энергопотреблением покрышки, но также и различаются сокращенными габаритами. Заинтригованные стороны приобрели эталоны микросхем LPDDR4X от SK Hynix, но первые устройства на основе нового вида памяти будут на рынке в обозримые месяцы.

Мискросхемы SK Hynix LPDDR4X

Мискросхемы SK Hynix LPDDR4X

LPDDR4X представляет из себя свежий эталон материнской платы для мобильных телефонов, который основывается на LPDDR4, однако гарантирует падение потребление подсистемы памяти приблизительно на 18–20% за счёт понижения усилие питания покрышки (VDDQ) до 0,6 Вольт (на 45 %). Все другие характеристики LPDDR4 (LP4) и LPDDR4X (LP4X) схожи: внешняя тактовая частота микросхем 200~266 МГц, ориентировочная подборка 16n и т. д. Память вида LPDDR4X поддержана рядом создателей мобильных систем на кристалле (system-on-chip, SoC). Так, MediaTek Helio P20 стал первым мобильным микропроцессором, совместным с LP4X. Он был представлен приблизительно годом ранее и первые устройства на его основе будут в 1-й половине 2017 года. Также, свежий передовой SoC компании Qualcomm, Snapdragon 835, также сохраняет LP4X. Принимая во внимание, что Snapdragon 835 был представлен в начале ноября, первые устройства на его основе будут ещё очень не скоро.

Главные превосходства LPDDR4X перед LPDDR4

Главные превосходства LPDDR4X перед LPDDR4

8-Гбайт (64 Гбит) комплектация памяти SK Hynix LPDDR4X применяет 4 микросхемы ёмкостью 16 Гбит и характеризуется скоростью передачи данных 4266 Мтрансферов/с и предельной пропускной возможностью 34,1 Гигабайт/с в случае включения к микропроцессору с применением 64-разрядной покрышки. Свежие модули памяти вида LPDDR4X привозятся в корпусах FGBA объемом 12 × 12,7 миллиметров, которые на 30 % меньше корпусов LPDDR4 объемом 15 × 15 миллиметров. Комплектации SK Hynix LP4X могут быть применены как в отдельности, так и в составе упаковки вида PoP (package-on-package).

Комплектации микросхем SK Hynix LPDDR4X

H9HKNNNFBUMU H9HKNNNFBMMUDR H9HKNNNEBMMUER H9HKNNNEBMAUDR
Ёмкость микросхемы памяти 16 Гбит 12 Гбит
Число микросхем памяти 4
Ёмкость комплектации 8 Гигабайт (64 Гбит) 6 Гигабайт (48 Гбит)
Скорость передачи данных 4266 Мтрансферов/с 3733 Мтрансферов/с
Высота покрышки 64 ряда 48 разрядов
Пропускная дееспособность комплектации 34,1 Гигабайт/с 29,8 Гигабайт/с
Обертка FBGA FBGA-376 FBGA-366 FBGA-376
Габариты 12 миллиметров × 12,7 миллиметров
Усилие питания 1,8/1,1/0,6 Вольт
Технический процесс 21 hm
Время доступности 2017

SK Hynix не утверждает четких значений энергопотребления производств памяти LPDDR4X, однако доказывает, что из-за понижения усилия питания покрышки на 45 % потребление подсистемы памяти в общем снизилось на 20 % по сравнению с энергопотреблением гипотетичной подсистемы памяти LPDDR4, работающей на той же тактовой частоте в одинаковых условиях. Такое описание не сильно в точности, так как микросхемы LPDDR4 SK Hynix сохраняют предельную скорость передачи данных 3733 Мтрансферов/с. Если посоветовать, что изготовитель никоим образом не улучшал архитектуру самих ячей памяти у микросхем LPDDR4X сравнивая с предшественниками, однако только сократил усилие питания покрышки до 0,6 Вольта, то система памяти на основе 8 Гигабайт LP4X-4266 должна употреблять немного меньше производительности, чем система памяти на основе 8 Гигабайт LP4-3733, однако четкие данные на данный момент не известны.

SK Hynix применяет собственный 21-нм технический процесс для производства памяти вида LPDDR4 и LPDDR4X. Так что, с позиции технологии изготовления, чипсеты SK Hynix LP4X весьма похожи на собственных братьев вида LP4, но потребление самих ячей памяти тождественно.

Мискросхемы SK Hynix LPDDR4X

Мискросхемы SK Hynix LPDDR4X

Изначально SK Hynix будет предоставлять только модули LPDDR4X ёмкостью 8 Гигабайт со скоростью передачи данных 4266 Мтрансферов/с на базе микросхем памяти 16 Гбит. Немного позднее организация увеличит семейство комплектациями ёмкостью 6 и 8 Гигабайт со скоростями 3733 Мтрансферов/с ( находятся в ассортименте продукции) и 3200 Мтрансферов/с. Потом SK Hynix может представить модули LPDDR4X на базе 8-Гбит микросхем, но такие проекты пока упоминаются только на своем официальном сайте компании. Модули памяти LPDDR4X сравнительно незначительный ёмкости имеют большой потенциал на рынке, так как не все телефоны (и микропланшеты) будут оборудоваться 8 Гигабайт ОЗУ в 2018 году. По анализам специалистов из IHS Markit, средний телефонный аппарат большого расценочного класса будет облачаться 3,5 Гигабайт материнской платы (есть в виду устройства с 2, 3, 4, 6 и 8 Гигабайт памяти). При этом не стоит забывать, что условия к объёмера ОЗУ у Эпл iOS и Google Андроид значительно различаются, телефоны на основе заключительной требуют больше DRAM, и Android-аппараты с 4 Гигабайт материнской платы будут очень распространёнными в 2018 году. Что же касается механизмов на основе iOS, то передовые Айфон 7 и Айфон 7 Plus оборудованы только 2 и 3 Гигабайт памяти как следствие.

По заявлениям компании, изготовление модулей памяти LPDDR4X-4266 8 Гигабайт стартовало. Мобильные телефоны на основе новой памяти, как предполагается, будут на рынке в обозримые месяцы, и вероятно, что изготовители могут показать собственную продукцию на базе MediaTek Helio P20 и LPDDR4X на выставке MWC в январе.

Вы можете оставить комментарий, или ссылку на Ваш сайт.

Оставить комментарий