0740f660

Toshiba перешла к постройке нового автозавода по производству 3D NAND

Ещё в начале ноября 2016 года организация Toshiba была полна намерений увеличивать изготовление по производству двухслойной флеш-памяти BiCS FLASH (в целом случае — это память вида 3D NAND), но к концу февраля 2017 года она начала говорить о потребности реализовать часть полупроводникового бизнеса посторонней компании либо фирмам. Всему виной стала неверная политика североамериканского подразделения Toshiba, отвечающего за ядерную энергетику на территории Соединенных Штатов. К великой радости, рассчитанное на март 2017 года начало возведения нового автозавода Toshiba по изготовлению памяти 3D NAND никто не отложил. Начало сооружение началось в период — 9 марта.

Компьютерное изображение нового автозавода Toshiba Fab 6 в Йоккаити (Toshiba)

Компьютерное изображение нового автозавода Toshiba Fab 6 в Йоккаити (Toshiba)

Свежий автозавод компании будет называться Fab 6. Сооружение и старт предприятия в строй пройдёт в 2 раунда. Линии первой очереди начнут производить флеш-память BiCS FLASH летом 2018 года. Объёмы изготовления будут установлены позже в соответствии с рыночной обстановкой. Как видим, Toshiba не собирается придерживать полупроводниковый бизнес в загоне, впрочем испытывает сильный за собственную историю экономический стресс. В некоторой степени организация рассчитывает привлечь к инвестициям в постройку Fab 6 собственного нового производственного партнёра — организацию Western Диджитал, однако без собственной инициативы Toshiba данный проект мог быть отменен в долгий ящик.

Компьютерное изображение нового R&D-центра Toshiba Fab 6 в Йоккаити (Toshiba)

Компьютерное изображение нового R&D-центра Toshiba Fab 6 в Йоккаити (Toshiba)

Помимо автозавода по производству памяти рядом со свежими цехами начинает создаваться свежий экспериментальный центр Toshiba. Центр кредитётся подготовкой технологий изготовления многообещающих типов памяти и улучшением задействованных технологий производства 3D NAND. Окончание возведения центра предполагается в начале декабря 2017 года. Любопытно добавить, что изготовлением на автозаводе Fab 6 должен будет распоряжаться синтетический разум. Этим самым в Toshiba рассчитывают существенно повысить выход продукции за счёт самой лучшей компании производственных циклов.

На данный момент Toshiba производит 64-слойную память 3D NAND TLC ёмкостью 256 Гбит. Во 2-й половине года она рассчитывает начать изготовление 64-слойной памяти 3D NAND TLC ёмкостью 512 Гбит. По всей видимости, предприятие Fab 6 начнёт собственную работу летом 2018 года с изготовления 64-слойных 512-Гбит микросхем 3D NAND.

Вы можете оставить комментарий, или ссылку на Ваш сайт.

Оставить комментарий