Главные новости дня

SK Hynix на текущей неделе обнародовала денежные итоги за 2016 год, и сообщила о проектах на 2017. Как и предполагалось, организация собирается начать многочисленное изготовление свежих видов памяти и увеличить производственные производительности. Интересно то, что в кратковременной возможности SK Hynix собирается инвестировать средства в повышение изготовления NAND флеш-памяти, не в повышение производства DRAM.

DRAM: Усиление применения техпроцесса 21 hm и усвоение 18 hm

SK Hynix начала изготовление DRAM по техпроцессу 21 hm в середине 2015 года. С того времени организация равномерно увеличивает применение технологии, и пытается повысить выход пригодных микросхем. К настоящему времени SK Hynix применяет 21 hm процесс для производства большого выбора собственной продукции, включая материнскую плату видов DDR4, LPDDR4, HBM2. Все-таки, прогресс не стоит на месте: на текущей неделе организация доказала, что она собирается начать многочисленное изготовление DRAM с применением технологии класса 1X hm — специалисты полагают, что речь идёт о 18 hm — в 2018 году.

Память SK Hynix вида LPDDR4X

SK Hynix сейчас не рассчитывает значительного расширения производственных мощностей. В то же самое время, предстоящее повышение изготовления DRAM с применением техпроцесса 21 hm и начало использования технологии 18 hm во 2-й половине года автоматом повысят объём производимой памяти (в пересчёте на бит, если соблюдать условие разумного исхода пригодных кристаллов). Как нам известно, при понижении высоты транзисторного затвора происходит понижение габаритов ячей памяти. Так что, объём памяти (в пересчёте на биты) на любой 300-мм кремниевой пластинке растет.

Память SK Hynix вида DDR4

Тем временем, специалисты из TrendForce полагают, что спрос на DRAM в 2017 году увеличится на 20 % в сезонном исчислении, тогда как изготовление DRAM разными изготовителями повысится приблизительно на 19 % сравнивая с 2016 годом. Дисбаланс между спросом и предложением сделает недостаток материнской платы и задержит расценки на больших уровнях, рассказывают специалисты.

Помимо повышения объёма памяти в ПК, есть ещё 2 условия, которые подымут спрос на DRAM. Прежде всего, выходные в скором времени микропроцессоры Intel Xeon поколения Skylake-EP имеют многоканальный контроллер памяти, что обозначает применение максимум 6 модулей памяти на микропроцессорный разъём вместо нынешних четырёх. Во-вторых, передовые телефоны на основе Google Андроид обретут свежие подсистемы памяти объёбог 6 либо 8 Гигабайт LPDDR4/LPDDR4X.

NAND: 72-слойные 512-Гбит 3D NAND микросхемы к концу года

Спрос на NAND флеш-память непреклонно повышается в последнее время из-за того, что промышленность производит всё больше механизмов на базе энергонезависимой памяти (телефоны, твердотельные накопители, домашняя автоэлектроника и т. п. ), но объём накопителей во всех продуктах растет — к примеру, Эпл Айфон 7 базового значения сейчас экипируется 32 Гигабайт NAND. Для того, чтобы утолить развивающийся спрос, изготовители расширяют производственные производительности и создаются свежие микросхемы 3D NAND большой ёмкости. В 2018 году SK Hynix вровень с соперниками рассчитывает как повысить изготовление NAND, так и выпустить свежие чипсеты памяти.

36-cлойная память SK Hynix 3D NAND (3D-V2). Картинка TechInsights

SK Hynix начала многочисленное изготовление 36-слойных микросхем памяти 3D NAND с двухбитовой ячейкой MLC — в компании их называют 3D-V2 — ёмкостью 128 Гбит в 2015 году. Данные микросхемы были почти во всем «пробивка пера», они преимущественно применяются для разных съёменьших накопителей.

В 2016 г организация начала изготовление 48-слойных микросхем 3D TLC NAND (3D-V3), которые подходят для разных видов механизмов, включая карты памяти, USB-флешки, вделываемые накопители и SSD. Микросхемы 3D-V3 имеют ёмкость 256 Гбит — они планируют в блоки ёмкостью 512 Гбит, 1024 Гбит, 2048 Гбит и 4096 Гбит.

Память SK Hynix NAND

Позднее в 2018 году SK Hynix рассчитывает начать многочисленное изготовление 72-слойной памяти 3D TLC NAND (3D-V4), которая гарантирует быть очень любопытной как с позиции ёмкости, так и с позиции мощности. Во 2-м квартале SK Hynix рассчитывает начать реализации микросхем 3D-V4 ёмкостью 256 Гбит. В четвёртом месяце начнется изготовление микросхем ёмкостью 512 Гбит (64 Гигабайт), что позволит существенно повысить вместимость SSD и прочих накопителей на основе NAND. Также, объем блока (максимальная ёмкость, которую можно уничтожить) у 3D-V4 TLC повысится до 13,5 Мбайт (против 9 Мбайт у 3D-V2 и 3D-V3), что увеличит мощность подобных микросхем сравнивая с предшественниками.

В настоящее время мы не знаем, планирует ли SK Hynix повысить скорость внешнего вида собственных 512-Гбит микросхем чтобы возмещать больший повторение в случае SSD незначительный ёмкости, как это сделала «Самсунг» для собственных 64-слойных 3D V-NAND чипов. Но известно, что ассортимент продукции SK Hynix включает мультичиповые NAND-сборки ёмкостью до 8192 Гбит (1 Тбайт), что позволит формировать объёменьшие SSD небольших габаритов — к примеру, однобокий модуль М.2 ёмкостью 2-4 Тбайт.

В то же самое время 512-Гбит микросхемы флеш-памяти непременно принудят SK Hynix и её компаньонов отказаться от производства SSD небольших объёмов (120/128 Гигабайт), так как мощность подобных накопителей будет весьма невысокой даже при больших скоростях внешнего вида (~800 Мтрансферов/с).

3D NAND на 2-ом этаже М14

Как передавалось раньше, SK Hynix рассчитывает начать применение 2-го этажа производственного комплекса М14 для изготовления 3D NAND в 2017 году. На текущей неделе организация опять доказала намерения, не стала открывать каких-то деталей.

Так или иначе, по мере повышения изготовления памяти на М14, организация повышает собственные объёмы и доход. Но по мере прохода SK Hynix на выпуск 3D NAND большой ёмкости — 256 Гбит в настоящее время и 512 Гбит в четвёртом месяце — суммарный объём изготовления памяти (в пересчёте на бит) также повысится.

Промышленный комплекс SK Hynix М14

В начале июля 2014 г SK Hynix также начнёт усиление «чистой» комнаты производства C2 в Вузи (КНР), что обойдётся в $790 млрд. и кредитёт 2 года. Промышленный комплекс C2 применяется для производства DRAM, но его усиление позволит оставить нынешний объём производства материнской платы при проходе на не менее передовые технологии изготовления, требующие использования неоднократного экспонирования, которое делает производственные циклы длиннее.

Тем не менее, так как работы будут закончены только в начале апреля 2019 года, расширения производственных мощностей не предоставит никакого воздействия на расценки DRAM в ближайшее время. Также, учитывая причину расширения «чистой» комнаты (повышение ширины цикла изготовления памяти), далеко не обязательно, что оно вообще предоставит какой-нибудь эффект на расценки.