Главные новости дня

Похоже, что энергонезависимая резистивная память ReRAM всё-таки поступит в продажу до 2020 года. На данном раунде, вероятнее всего, ReRAM сменит NAND-флэш в составе микроконтроллеров. Употребление ReRAM приблизительно в 7 раз меньше, чем у NAND, но быстродействие продвигается к скорости работы DRAM. Кроме того ReRAM выносит намного больше циклов перезаписи, чем NAND. Все эти качества должны помочь возникновению новой памяти в имеющих приборах и датчиках с включением к Сети-интернет.

Превосходство ReRAM над двухслойной NAND (слайд из демонстрации Western Диджитал на FMS)

Эталоны вделываемой памяти ReRAM с применением 40-нм техпроцесса не так давно начала производить японская организация SMIC. На данный момент это одна из наиболее современных исследований, добравшихся до ступени предсерийного изготовления. Однако ещё в 2013 году микроконтроллеры с блоком ReRAM начала производить японская организация Sony. Пока, они производились с применением 180-нм техпроцесса и не могли похвастать некоторым выигрышем перед памятью NAND-флэш. Чтобы вывести выпуск контроллеров с интегрированной памятью ReRAM на абсолютно новый уровень, Sony планирует привлечь к подготовке тайваньского договорного компании-производителя полупроводников — организацию UMC.

Суммарный принцип компании перекрёстной памяти RRAM (Crossbar)

Как рассказывает японское ИА Nikkei, Sony и UMC начинают общую подготовку технологий для изготовления контроллеров с интегрированной памятью ReRAM на основе 40-нм техпроцесса. У японских организаций отсутствуют современные «бытовые» техпроцессы для производства полупроводников. Такая же организация Fujitsu летом 2014 года лицензировала у UMC процесс с общепризнанными мерками 40 hm. У Sony также нет изготовления такой проблемы, на пару с UMC она гарантирует начать поставку примеров микроконтроллеров с ReRAM в 2018 году, но многочисленное изготовление новостей осуществить в 2019 году.

Первый стоковый контроллер Sony с интегрированной памятью ReRAM (Sony)

В проектах партнёканал числится оперативно начать зарабатывать на новом направлении — сразу до $44 млрд ежегодно (до 5 млн йен). С блоками ReRAM организация Sony рассчитывает доставлять чипсеты для документов, детекторы для занятий безопасности, контроллеры для имеющей электроники (часов и остального), и диапазон продукции для индустриальной электроники.

Для наших читателей замечательнейшим использованием ReRAM стал бы выход SSD-накопителей на перспективной памяти. Как досадно бы это не звучало, дешёвопль замены NAND пока нет. Первой попыткой выпустить твердотельные накопители не на основе классической флеш-памяти можно назвать выход SSD Intel Optane и Micron QuantX (оба вида на символически резистивной памяти 3D XPoint). Организация Sony едва ли к данному ускорится прежде первой половины следующего десятилетия. Сказочный элемент мемристор компании HP также буксует. Вероятно, прорывом будет общая разработка ReRAM HP и SanDisk, заявленная в 2015 году (в настоящее время место SanDisk, возможно, заняла организация Western Диджитал).

Ещё далее от утилитарной реализации подготовки компании IBM. Заключительная рекомендовала «водянистый триод» с каплей ионизованной воды. В конце концов, свои версии ReRAM есть у организаций Toshiba, SK Hynix и «Самсунг», однако они все, кроме Toshiba, предпочитают молчать о вероятных сроках исхода на рынок. Что же касается Toshiba, то она гарантирует приступить к изготовлению ReRAM после 2020 года.